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              技術(shù)文章

              FIB雙束掃描電鏡的工作原理來了解下!

              技術(shù)文章
                FIB雙束掃描電鏡通過結(jié)合氣體沉積裝置、納米操縱儀、多種探測(cè)器和可控樣品臺(tái)等附件,實(shí)現(xiàn)了微區(qū)成像、加工、分析和操縱的一體化,在物理、化學(xué)、生物、新材料、農(nóng)業(yè)、環(huán)境和能源等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
                工作原理:高能離子束與樣品表面原子碰撞,導(dǎo)致樣品表面原子被濺射出來,實(shí)現(xiàn)材料的微區(qū)去除或刻蝕。通過調(diào)節(jié)離子束的能量和束流,可以控制刻蝕的深度和精度。利用離子束分解金屬有機(jī)氣體化合物,在樣品表面形成薄膜或結(jié)構(gòu),用于樣品保護(hù)、電路修復(fù)等。SEM電子束照射樣品表面,激發(fā)二次電子等信號(hào),通過探測(cè)器收集成像,用于定位樣品、獲取微觀結(jié)構(gòu)和監(jiān)測(cè)加工過程。在測(cè)試過程中,通過旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái),可以實(shí)現(xiàn)電子束的實(shí)時(shí)觀察和離子束的切割或微加工。
                本公司提供的Helios 5 DualBeam FIB雙束掃描電鏡重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn):高材料對(duì)比度,快、簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確的高質(zhì)量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及高質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。

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